在8月6日至8日于美国加利福尼亚州圣克拉拉市举行的“全球闪存峰会2024（Future of Memory and Storage，FMS）”上，SK海力士以“Memory, The Power of AI”为口号参加此次活动，全方位展示了其突破性的AI内存技术，另外还有涵盖DRAM、SSD和CXL等领域的解决方案。随着AI市场的需求增长，存储更多数据的高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。

SK海力士在FMS 2024的展台由四部分组成，展示了主题演讲和会议演讲中提到的众多产品。展台的一大亮点是12层垂直堆叠的HBM3E样品，这是SK海力士下一代AI内存解决方案的主力产品，预计2024年第三季度量产。SK海力士还使用其合作伙伴的系统进行了产品演示，突出了与各大科技公司的紧密合作。

SK海力士还展出了具备计算能力的GDDR6-AiM、针对AI应用优化的超低功耗LPDDR5T、基于PCIe 5.0打造的eSSD PS1010、支持尚未发布的UFS 4.1协议的闪存、可提升数据管理效率的ZUFS 4.0产品、以及下一代内存解决方案CMS 2.0等。

值得注意的是，这次SK海力士首度展出了接口速率达到3.2 Gbps的V9 2Tb QLC NAND闪存，以及3.6 Gbps的V9H 1Tb TLC NAND闪存。目前SK海力士的NAND闪存堆叠层数已达到321层，为业界最高水平。